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通過(guò)AC整流橋上的有源開(kāi)關(guān)提高效率
提高電源轉(zhuǎn)換效率和功率密度一直是電源行業(yè)的首要目標(biāo)，在過(guò)去十年中，更因功率器件、拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和控制方案的發(fā)展而取得長(zhǎng)足的進(jìn)步。超結(jié)MOSFET、SiC二極管以及最新GaN FET的發(fā)展，確保了更高頻率下的更高開(kāi)關(guān)效率；同時(shí)，高級(jí)拓?fù)浼捌湎鄳?yīng)控制方案的實(shí)現(xiàn)也在高速發(fā)展。因此，平衡導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗...
2021-09-10
AC整流橋 有源開(kāi)關(guān) 提高效率
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汽車(chē)ADC如何幫助設(shè)計(jì)人員在ADAS中實(shí)現(xiàn)功能安全
盡管當(dāng)今的車(chē)輛在多種駕駛場(chǎng)景中實(shí)現(xiàn)了自動(dòng)化，但背后真正推動(dòng)汽車(chē)從部分自動(dòng)駕駛實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)駕駛的不是汽車(chē)制造商，而是移動(dòng)服務(wù)提供商，例如出租車(chē)公司、汽車(chē)租賃公司、送貨服務(wù)公司以及需要提供安全、高效、方便且經(jīng)濟(jì)實(shí)用的公共和私人交通工具的城市。
2021-09-09
汽車(chē)設(shè)計(jì) ADC ADAS
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晶振為什么不能放置在PCB邊緣？
某行車(chē)記錄儀，測(cè)試的時(shí)候要加一個(gè)外接適配器，在機(jī)器上電運(yùn)行測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)超標(biāo)，具體頻點(diǎn)是84MHZ、144MH、168MHZ，需要分析其輻射超標(biāo)產(chǎn)生的原因，并給出相應(yīng)的對(duì)策。輻射測(cè)試數(shù)據(jù)如下：
2021-09-09
晶振 PCB邊緣
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無(wú)刷直流電機(jī)、有刷直流電機(jī)：該如何選擇？
許多運(yùn)動(dòng)控制應(yīng)用都采用永磁直流電機(jī)。因?yàn)榕c交流電機(jī)相比，直流電機(jī)的控制系統(tǒng)更容易實(shí)現(xiàn)。因此，在需要控制速度、扭矩或位置時(shí)，通常都采用直流電機(jī)。
2021-09-09
無(wú)刷直流電機(jī) 有刷直流電機(jī)
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仿真看世界之650V混合SiC單管的開(kāi)關(guān)特性
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續(xù)流二極管，取代了傳統(tǒng)Si的Rapid1快速續(xù)流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統(tǒng)效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-09-08
仿真 SiC單管 開(kāi)關(guān)特性
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新興汽車(chē)開(kāi)關(guān)應(yīng)用
自動(dòng)駕駛汽車(chē)人工智能的發(fā)展正逐漸改變?nèi)藗兊鸟{乘體驗(yàn)。全自動(dòng)駕駛車(chē)輛將為汽車(chē)駕駛艙帶來(lái)徹底的變革。實(shí)際上，我們已經(jīng)看到具備半自動(dòng)駕駛功能的汽車(chē)的出現(xiàn)。功能性和舒適性是推動(dòng)汽車(chē)內(nèi)部變化的主要因素。考慮到車(chē)輛內(nèi)的功能越來(lái)越多，對(duì)于聯(lián)系駕駛員和駕駛艙新環(huán)境之間的用戶(hù)界面，設(shè)計(jì)師和工程...
2021-09-08
汽車(chē)開(kāi)關(guān) 應(yīng)用
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貿(mào)澤聯(lián)手安森美推出全新資源平臺(tái)，分享BLDC電機(jī)控制新品與技術(shù)見(jiàn)解
2021年9月7日 – 專(zhuān)注于引入新品并提供海量庫(kù)存的電子元器件分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與推動(dòng)節(jié)能創(chuàng)新的半導(dǎo)體解決方案知名供應(yīng)商安森美(onsemi)合作，創(chuàng)建了一個(gè)全新內(nèi)容平臺(tái)，用于介紹無(wú)刷直流 (BLDC) 電機(jī)控制資源、產(chǎn)品和技術(shù)見(jiàn)解。安森美在MOSFET和其他電源、傳感和保護(hù)設(shè)備領(lǐng)域處于...
2021-09-07
貿(mào)澤 安森美 BLDC電機(jī)控制
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在正確的比較中了解SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化
比較SiC開(kāi)關(guān)的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢(shì)，但是這一指標(biāo)也代表著與UnitedSiC FET相比，它的潛在損耗較高，整體效率低。
2021-09-07
SiC FET 導(dǎo)通電阻 溫度變化
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負(fù)壓脈沖高？教你3招制伏
隨著5G通信與新能源車(chē)的普及，人們對(duì)高效率電源的需求越來(lái)越多。而提升電源轉(zhuǎn)換效率的關(guān)鍵因素就在于開(kāi)關(guān)電源中的功率部分。
2021-09-07
負(fù)壓脈 5G通信 電源效率
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