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貿(mào)澤電子與Analog Devices和Bourns聯(lián)手發(fā)布全新電子書
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書，探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續(xù)性方面的優(yōu)勢(shì)，以及發(fā)揮這些優(yōu)勢(shì)所面臨的挑戰(zhàn)。
2024-12-03
貿(mào)澤電子 Analog Devices Bourns 電子書
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英飛凌AURIX TC3x新增支持FreeRTOS
全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的AURIX? TC3x微控制器（MCU）系列新增了對(duì)FreeRTOS的支持。
2024-12-03
英飛凌
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【“源”察秋毫系列】纖維器件及其陣列電學(xué)測(cè)試方案詳解
使用電壓表或SMU源表等測(cè)試設(shè)備（如數(shù)字多用表的電壓測(cè)量檔等），將電壓表的探頭與纖維電學(xué)器件的兩個(gè)輸出電極相連接，確保連接牢固且接觸良好，以減少接觸電阻對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。當(dāng)纖維電學(xué)器件處于工作狀態(tài)（如受到特定刺激，像壓電纖維器件受到外力作用、光電器件受到光照等）或在特定的電路環(huán)境...
2024-12-02
纖維器件 電學(xué)測(cè)試
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借助支持邊緣 AI 的 MCU 優(yōu)化實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)中的系統(tǒng)故障檢測(cè)
本文中將討論集成式微控制器 (MCU) 如何增強(qiáng)高壓實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)中的故障檢測(cè)功能。此類 MCU 使用集成神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理單元 (NPU) 運(yùn)行卷積神經(jīng)網(wǎng)絡(luò) (CNN) 模型，幫助在監(jiān)測(cè)系統(tǒng)故障時(shí)降低延遲和功耗。通過將邊緣 AI 功能集成到用于管理實(shí)時(shí)控制的同一 MCU 中，可以幫助您優(yōu)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，同時(shí)增強(qiáng)整體性能。
2024-12-02
邊緣 AI MCU 實(shí)時(shí)控制系統(tǒng)
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第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層
SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢(shì)。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應(yīng)用于SiC器件時(shí)必須考慮到這一點(diǎn)。
2024-12-02
SiC 柵極絕緣層
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優(yōu)化簡(jiǎn)易PCB電路板的大規(guī)模測(cè)試，提高生產(chǎn)效率
隨著各行業(yè)對(duì)高效完成大批量生產(chǎn)的需求日益增強(qiáng)，構(gòu)建穩(wěn)健的測(cè)試策略也變得至關(guān)重要。此篇是德科技署名文章旨在深入探討簡(jiǎn)易電路板生產(chǎn)制造領(lǐng)域中適用的創(chuàng)新測(cè)試方法，力求在保障質(zhì)量的前提下，實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)效率的最優(yōu)化。
2024-12-02
PCB 電路板
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貿(mào)澤推出RISC-V技術(shù)資源中心 探索開源的未來
貿(mào)澤電子推出內(nèi)容豐富的RISC-V資源中心，為設(shè)計(jì)工程師提供新技術(shù)和新應(yīng)用的相關(guān)知識(shí)。隨著開源架構(gòu)日益普及，RISC-V從眾多選項(xiàng)中脫穎而出，成為開發(fā)未來先進(jìn)軟硬件的新途徑。從智能手機(jī)和IoT設(shè)備，再到高性能計(jì)算，RISC-V正在各行各業(yè)中發(fā)展成為更主流的指令集架構(gòu) (ISA)。
2024-12-02
貿(mào)澤 RISC-V技術(shù)
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