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可編程輸入倍頻法如何減少整數邊界雜散
您曾設計過具有分數頻率合成器的鎖相環（PLL）嗎？這種合成器在整數通道上看起來很棒，但在只稍微偏離這些整數通道的頻率點上雜散就會變得高很多，是吧？如果是這樣的話，您就已經遇到過整數邊界雜散現象了 —— 該現象發生在載波的偏移距離等于到最近整數通道的距離時。
2022-02-08
可編程輸入倍頻法 整數邊界雜散
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如何利用TI Designs來驗證和加快設計過程
如果處理器和現場可編程門陣列FPGA全部由同樣的電壓供電運行，并且不需要排序和控制等特殊功能的話，會不會變的很簡單呢？不幸的是，大多數處理器和FPGA需要不同的電源電壓，啟動/關斷序列和不同類型的控制。
2022-02-08
TI Designs 處理器 現場可編程門陣列FPGA
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如何仿真轉換器的數字輸入／輸出
對于SAR-ADC的仿真比較復雜。目前來看，還沒有準確模擬整個器件的完整轉換器模型。現有資源是一個仿真模擬輸入引腳穩定性的模擬SPICE文件。有了它，用戶就有了一款強大工具，使用戶能夠解決其中一個最關鍵、最棘手的轉換器問題。
2022-02-08
仿真轉換器 數字輸入／輸出
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關于相控陣三種波束成型架構的那些事兒~
本文對模擬、數字和混合波束成型架構的能效比進行了比較，并針對接收相控陣開發了這三種架構的功耗的詳細方程模型。該模型清楚說明了各種器件對總功耗的貢獻，以及功耗如何隨陣列的各種參數而變化。對不同陣列架構的功耗/波束帶寬積的比較表明，對于具有大量元件的毫米波相控陣，混合方法具有優勢。
2022-02-08
相控陣 波束成型架構
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淺談5G小基站中時鐘及無源射頻器件的應用
5G的高速率、低延時、海量連接已被大家熟知，5G將萬物互聯，實現AR交互、自動駕駛、智慧城市等應用場景是人們期盼已久的愿望。
2022-02-08
5G小基站 無源射頻器件 應用
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基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管性能詳解
追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業的共同目標。為不斷提升產品核心競爭力，基本半導體成功研發第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導體系列標準封裝碳化硅肖特基二極管家族中的新成員。相較于前兩代二極管，基本半導體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎上...
2022-02-08
基本半導體 碳化硅肖特基二極管
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針對SiC串擾抑制方法的測試報告
近年來，以SiCMOSFET 為代表的寬禁帶半導體器件因其具有高開關頻率、高開關速度、高熱導率等優點，已成為高頻、高溫、高功率密度電力電子變換器的理想選擇。然而隨著SiC MOSFET開關速度加快，橋式電路受寄生參數影響加劇，串擾現象更加嚴重。由于SiC MOSFET 正向閾值電壓與負向安全電壓較小，串擾問...
2022-02-08
SiCMOSFET 串擾抑制
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