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4.5V下1.35mΩ Vishay新一代TrenchFET MOSFET導(dǎo)通電阻創(chuàng)紀錄
Vishay推出新一代TrenchFET Gen IV系列30V N溝道功率MOSFET器件，新器件實現(xiàn)了非常高密度的設(shè)計，而沒有明顯增加?xùn)艠O電荷，在10V電壓下實現(xiàn)了1.0mΩ的極低導(dǎo)通電阻，4.5V下1.35mΩ的導(dǎo)通電阻達到業(yè)內(nèi)最佳水準。
2012-05-09
TrenchFET MOSFET SiRA00DP 導(dǎo)通電阻 Vishay
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日本礙子推出可使LED發(fā)光效率提高1倍的GaN晶圓
日本礙子近日開發(fā)出可將LED光源的發(fā)光效率提高1倍的GaN（氮化鎵）晶圓。該晶圓在生長GaN單結(jié)晶體時采用自主開發(fā)的液相生長法，在整個晶圓表面實現(xiàn)低缺陷密度的同時獲得了無色透明特性。日本礙子在其他研究機構(gòu)的協(xié)助下，在開發(fā)出來的GaN晶圓上制造了LED元件，并進行了發(fā)光性能試驗，結(jié)果表明，該LED...
2012-05-09
LED GaN晶圓
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美商傳威針對智能手機推出USB、HDMI和DisplayPor集成解決方案HDmobile
美商傳威近日推出的HDmobile?收發(fā)器IC為智能手機和平板電腦提供了一個單通路解決方案，減少芯片對寶貴空間的占用，並同時提供超高速數(shù)據(jù)和視頻傳輸能力。HDmobile IC整合了USB、HDMI和DisplayPort接口，用一根電纜即可提供超高速數(shù)據(jù)連接和高清視頻傳輸功能。HDmobile用世界一流的集成技術(shù)將行業(yè)領(lǐng)...
2012-05-09
美商傳威 TranSwitch HDmobile USB HDMI DisplayPor
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SSD與eMMC齊發(fā)力 閃存控制器突破10億美元關(guān)
據(jù)IHS iSuppli公司的存儲市場簡報，部分緣于固態(tài)硬盤(SSD)銷售不斷增長，去年全球閃存控制器集成電路(IC)市場首次超過10億美元。2011年閃存控制器IC市場的營業(yè)收入達到11億美元，比2010年的8.085億美元大增39%。閃存控制器對于開發(fā)高質(zhì)量存儲器件非常關(guān)鍵。
2012-05-09
閃存 閃存控制器 閃存控制器市場
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LED應(yīng)用市場投資升溫 2012高工LED展推創(chuàng)新大獎
近日，高工LED產(chǎn)業(yè)研究所（GLII）發(fā)布的一季度國內(nèi)LED投資報告顯示，今年一季度國內(nèi)LED產(chǎn)業(yè)投資總額創(chuàng)出自2010年以來的新低，相比2010年一季度縮水492億元。從細分領(lǐng)域來看，LED照明應(yīng)用領(lǐng)域成為投資主流，從投資規(guī)模來看，占到整體投資額的49%。
2012-05-08
高工 LED展
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全差分放大器驅(qū)動18位ADC功耗僅為5mW
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出低功率全差分放大器 LTC6362，該器件能僅以 1mA 的電源電流驅(qū)動高精準的 16 位和 18 位 SAR ADC。LTC6362 具 200uV 最大輸入失調(diào)電壓和 3.9nV/√Hz 輸入?yún)⒖荚肼暎浅＿m用于精準的工業(yè)和數(shù)據(jù)采集應(yīng)用。
2012-05-08
Linear 全差分放大器 ADC
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Vishay發(fā)布4款新型D/CRCW e3厚膜片式電阻的工程設(shè)計包
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款通過AEC-Q200認證的D/CRCW e3厚膜片式電阻的新型工程設(shè)計套件。套件可幫助設(shè)計者選擇最適合其應(yīng)用的電阻，提供0402、0603、0805和1206外形尺寸及一系列的可選阻值，同時樣片封裝在卷帶條并附有單獨的標(biāo)簽。
2012-05-08
Vishay D/CRCW e3 厚膜片式電阻
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