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只加性能不加價，金升陽微功率電源R2優勢明顯
經客戶反饋，金升陽DCDC微功率電源R2較1代產品，優勢明顯，不僅EMI特性凸顯，而且在溫升方面也做了很大的提升，最關鍵的是，價格與1代持平，只加性能不加價。
2013-04-09
金升陽 DC/DC 微功率電源
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美高森美全新IGBT用于大功率、高性能的工業應用
美高森美宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through, NPT) IGBT系列增添十多款全新器件，包括25A、50A和70A額定電流型款。全新25A、50A和 70A IGBT器件設計用于大功率、高性能的工業應用。
2013-04-07
美高森美 IGBT
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32kHz MEMS振蕩器橫空出世，石英蒙上退場陰霾
傳統主宰智能手機市場的石英晶體諧振器因著SiTime革命性的SiT15xx系列32 kHz MEMS振蕩器而蒙上退場陰霾，因為與最小的5平方毫米石英諧振器相比，SiT15xx占位面積還能小70％，功耗也降低50％，而且性能指標全面超越，替代無法阻擋。
2013-04-07
MEMS 振蕩器 石英振蕩器 SiTime
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LED驅動電源知識集錦，看你知道多少
本文集錦了LED驅動電源設計及應用中的各種問題、方法及技巧，例如：LED驅動電源的分類、LED驅動電源的特點、確定LED驅動電源質量的七大原則、LED驅動電源常見難題解答以及LED驅動電源電路保護方法等，看看你知道多少？
2013-04-03
LED 驅動電源
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Linear推出纖巧型精準的低頻時鐘
近日，Linear推出簡單、準確的低頻時鐘 LTC6995，該器件可針對長持續時間上電復位和看門狗定時器應用獨特地進行配置，適合于要求苛刻的汽車和工業應用。
2013-03-30
Linear 低頻時鐘
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SiC BJT：史上最高效率的1200V功率轉換開關
飛兆半導體最近推出的碳化硅(SiC)雙極結型晶體管(BJT)將成為IGBT的下一代替代技術，它可以在更高的溫度下轉換更高的電壓和電流。它允許更高的開關頻率，但能保持相同或更低的開關和導通損耗，從而允許使用更小的電感、電容和散熱器，不僅可降低系統BOM成本，而且可在相同外形因子下提高輸出功率，或...
2013-03-29
飛兆半導體 IGBT 碳化硅 雙極結型晶體管
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集成DC/DC驅動器及MOSFET VR功率級的DrMOS器件
英飛凌近日在2013應用電力電子會議暨展覽會中宣布推出DrBlade：全球第一款采用創新芯片嵌入式封裝技術的集成式器件，它集成了DC/DC 驅動器及MOSFET VR功率級。
2013-03-28
英飛凌 DrBlade DC/DC MOSFET
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【設計指南】如何控制運算放大器增益誤差
在增益單元中設計某個放大器時，為這項工作選擇備選放大器時您需要了解一些事情。您的信號最大帶寬 (SBW) 是多少？放大器閉環噪聲增益 (NG) 是多少，以及考慮中的放大器的增益帶寬產品 (GBWP) 是什么？
2013-03-25
運算放大器 增益誤差 設計指南
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【知識普及】高頻開關電源的組成及分類
電子裝置小型輕量化的關鍵是供電電源的小型化，因此需要盡可能地降低電源電路中的損耗。開關電源中的調整管工作于開關狀態，必然存在開關損耗，而且損耗的大小隨開關頻率的提高而增加。另一方面，開關電源中的變壓器、電抗器等磁性元件及電容元件的損耗，也隨頻率的提高而增加。
2013-03-25
高頻開關電源 開關電源 DC/DC變換器
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