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技術(shù)文章

25kW SiC直流快充設(shè)計指南(第六部分)：用于電源模塊的柵極驅(qū)動系統(tǒng)

在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。

2022-06-15

直流快充電源模塊柵極驅(qū)動

如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響

在IGBT時代，門極電壓的選擇比較統(tǒng)一，無非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V這幾檔。而在新興的SiC MOSFET領(lǐng)域，還未有約定俗成的門極電壓規(guī)范。本文愿就SiC MOSFET的門極電壓選擇上的困惑，提供些有用的參考。

2022-06-15

SiC MOSFET 門極電壓

性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場提供了優(yōu)秀的SiC功率解決方案

UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。新UF4C/SC系列中的六款新產(chǎn)品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐，現(xiàn)以TO247-4L（采用開爾文連接）封裝提供，而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能，...

2022-06-15

SiC FET 高壓市場解決方案

適合工業(yè)應(yīng)用的魯棒SPI/I2C通信

對于控制器和外設(shè)之間的短距離電路板內(nèi)連接，串行外設(shè)接口(SPI)和Inter-Integrated Circuit (I2C)接口是流行的事實上的通信標(biāo)準(zhǔn)。由于存在廣泛的硬件和軟件支持，SPI和I2C已被傳感器、執(zhí)行器和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器制造商廣泛采用。當(dāng)控制器和外設(shè)位于同一電路板上、共享同一接地層且相距不遠（不大于1米）時...

2022-06-14

工業(yè)應(yīng)用 SPI ADI

新推出的同步SAR模數(shù)轉(zhuǎn)換器的片內(nèi)校準(zhǔn)優(yōu)勢

本文評估在電阻模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)前面的外部電阻的影響。這些系列的同步采樣ADC包括一個高輸入阻抗電阻可編程增益放大器(PGA)，用于驅(qū)動ADC和縮放輸入信號，允許直接連接傳感器。但是，有幾個原因?qū)е略谠O(shè)計期間，我們最終會在模擬輸入前面增加外部電阻。以下部分從理論上解釋預(yù)期的增益誤差，該誤差...

2022-06-14

SAR 模數(shù)轉(zhuǎn)換器 ADI