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開關(guān)模式電源問題分析及其糾正措施：晶體管時(shí)序和自舉電容問題
本文是系列文章中的第三篇，該系列文章將討論常見的開關(guān)模式電源(SMPS)的設(shè)計(jì)問題及其糾正方案。本文旨在解決DC-DC開關(guān)穩(wěn)壓器的功率級設(shè)計(jì)中面臨的復(fù)雜難題，重點(diǎn)關(guān)注功率晶體管和自舉電容。功率晶體管具有最小和最大占空比，如果違反限值，將會導(dǎo)致SMPS性能下降。此外，如果忽略自舉電容，晶體管將...
2024-10-20
開關(guān)模式電源 晶體管 電容
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熱電偶的測溫原理
熱電偶的測溫原理是基于熱電效應(yīng)。在兩種不同材料的導(dǎo)體或半導(dǎo)體A和B組成的閉合可路中，如果兩個(gè)導(dǎo)體A和B的連接點(diǎn)溫度不同，設(shè)T>T，則回路中會產(chǎn)生一個(gè)電動勢，即生此閉合回路中有電流產(chǎn)生，這種現(xiàn)象稱為熱電效應(yīng)。
2024-10-20
熱電偶 測溫
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【泰克先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室】 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布新一代高壓氮化鎵功率器件
氮化鎵功率器件因其高速開關(guān)能力、高功率密度和成本效益而成為市場的熱門選擇。然而，由于工作電壓和長期可靠性的制約，這些器件的潛力并未得到充分發(fā)揮，主要在消費(fèi)電子領(lǐng)域內(nèi)競爭價(jià)格。近期，隨著高壓氮化鎵器件的陸續(xù)推出，我們看到了它們在更廣泛市場應(yīng)用中的潛力。
2024-10-20
泰克 遠(yuǎn)山半導(dǎo)體 氮化鎵 功率器件
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ADALM2000實(shí)驗(yàn)：變壓器
變壓器只適用于交流電(AC)。例如，變壓器會通過將電壓降低到更合適的電平來降低120V壁式功率，對于大多數(shù)消費(fèi)電子產(chǎn)品，降至僅幾伏；對于其他低功耗應(yīng)用，通常降至12V。變壓器還可以升高電壓以實(shí)現(xiàn)長距離傳輸，并降低電壓以實(shí)現(xiàn)安全配電。如果沒有變壓器，配電網(wǎng)絡(luò)中已經(jīng)很嚴(yán)重的電力浪費(fèi)將大到驚人...
2024-10-19
變壓器 電平
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意法半導(dǎo)體推出STM32微處理器專用高集成度電源管理芯片
意法半導(dǎo)體 STM32MP2 微處理器配套電源管理芯片STPMIC25 現(xiàn)已上市。新產(chǎn)品在一個(gè)便捷封裝內(nèi)配備 16 個(gè)輸出通道，可為MPU的所有電源軌以及系統(tǒng)外設(shè)供電，完成硬件設(shè)計(jì)僅需要少量的外部濾波和穩(wěn)定功能組件。評估板STEVAL-PMIC25V1現(xiàn)已上市，開發(fā)者可立即開始開發(fā)應(yīng)用。
2024-10-18
意法半導(dǎo)體 STM32 微處理器 電源管理芯片
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賽果公布！灣芯展·“芯火”殿堂·精“芯”榜創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽頒獎典禮圓滿落幕
項(xiàng)目以獨(dú)有的射頻數(shù)字化技術(shù)平臺（RDP?）為基礎(chǔ)，面向能源無線、工業(yè)無線、星閃無線、衛(wèi)星互聯(lián)等領(lǐng)域研發(fā)業(yè)界性能領(lǐng)先的無線通信芯片。
2024-10-18
灣芯展
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第6講：SiC單晶生長技術(shù)
高質(zhì)量低缺陷的SiC晶體是制備SiC功率半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵，目前比較主流的生長方法有PVT法、液相法以及高溫CVD法等，本文帶你了解以上三種SiC晶體生長方法及其優(yōu)缺點(diǎn)。
2024-10-18
SiC 單晶 生長技術(shù)
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