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誤啟動的發生機制
上一篇文章中通過標準型且具有快恢復特性的SJ MOSFET的雙脈沖測試，介紹了“在橋式電路中，恢復特性可通過使用高速MOSFET來降低損耗，但是在某些情況下，即使使用高速MOSFET也無法降低導通損耗”。本文就其中一個原因即誤啟動現象進行說明。
2020-12-16
誤啟動 發生機制 MOSFET
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從先進器件到系統級方案 羅姆傾情助力工業電機設計
作為全球能源消耗的重點產品，各類電機消耗了全球一半以上的電力資源，足見電機應用在整個社會運轉中的重要作用，特別是在各種數字化產業升級趨勢的引領下，功能越來越強大的電機系統在工業應用中發揮著越來越重要的作用。因此，如何實現更高效更節能的電機系統對整個工業系統的運行效率和成本效益...
2020-12-16
羅姆 工業電機 設計
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微波功率放大器發展概述
微波功率放大器主要分為真空和固態兩種形式。基于真空器件的功率放大器，曾在軍事裝備的發展史上扮演過重要角色，而且由于其功率與效率的優勢，現在仍廣泛應用于雷達、通信、電子對抗等領域。
2020-12-16
微波功率放大器
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磁滯損耗的理解
我們先前有講過電感的損耗，分為銅損和鐵損，銅損指直流導通電阻，一般不會大。而鐵損就是指磁芯損耗了，主要包括磁滯損耗和渦流損耗。而這兩者主要與磁芯的材質種類有關。下面來看看磁珠是怎么利用磁滯損耗和渦流損耗來工作的。
2020-12-16
磁滯損耗 電感
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冰箱壓縮機設計使用數字信號控制器實現高能效等級
冰箱和其他廚房電器由于對能源的高需求，對離網能源系統提出了嚴峻挑戰。現在，改進的冰箱壓縮機由無刷直流電動機或永磁同步電動機（PMSM）驅動，以滿足高能效等級。通過為無刷電機使用基于逆變器的變速驅動器，可以實現這種高能效。
2020-12-16
冰箱壓縮機 數字信號控制器
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具有集成式驅動器和自我保護功能的GaN FET如何實現下一代工業電源設計
氮化鎵(GaN)半導體的物理特性與硅器件不相上下。傳統的電源供應器金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲效率、外形尺寸和散熱的前提下才能提高功率密度。
2020-12-16
集成式驅動器 自我保護 GaN FET 工業電源 設計
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高性能標準CMOS傳感器應用于3D視覺、感測和度量
3D成像技術早在數十年前已經出現，但是民用化產品卻只在2000年代才推出市場，那時主流電影企業發布利用高清攝影機拍攝的3D電影。從那時開始，這一應用范圍里，不論在速度、精度和3D圖像分辨率都有飛躍進展，并且獲得從消費性市場到機器視覺工業的廣泛應用。
2020-12-16
CMOS傳感器 應用 3D視覺 感測和度量
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