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技術(shù)文章

為何完全集成式轉(zhuǎn)換環(huán)路器件可實現(xiàn)出色的相位噪聲性能？

目前對帶寬的需求呈爆炸式增長，從而將載波頻率推高至幾十千兆赫。在這些高頻率下，客戶可使用更高的帶寬，不必?fù)?dān)心頻譜過度擁擠。但是，隨著頻率增加，針對這些器件和頻率的儀器儀表解決方案就會變得極其復(fù)雜。這是因為儀器儀表解決方案需要提升一個數(shù)量級的性能，以避免損壞測試中的器件。

2021-09-15

集成式轉(zhuǎn)換環(huán)路器件相位噪聲

貿(mào)澤電子聯(lián)手STMicroelectronics推出全新內(nèi)容網(wǎng)站聚焦無線解決方案

貿(mào)澤電子與全球知名半導(dǎo)體解決方案制造商STMicroelectronics (ST) 聯(lián)手推出全新內(nèi)容網(wǎng)站，致力于為無線領(lǐng)域的工程師提供來自ST的新資源、新產(chǎn)品和技術(shù)新知。

2021-09-15

貿(mào)澤電子 STMicroelectronics 無線

什么情況下應(yīng)該從硅片轉(zhuǎn)換到寬帶隙技術(shù)？

自從寬帶隙 (WBG) 器件誕生以來，為功率變換應(yīng)用帶來了一股令人激動的浪潮。但是，在什么情況下從硅片轉(zhuǎn)換到寬帶隙技術(shù)才有意義呢？迄今為止，屏蔽柵極 MOSFET、超級結(jié)器件和 IGBT等基于硅的功率器件已經(jīng)很好地在業(yè)界得到大規(guī)模應(yīng)用。這些器件在品質(zhì)因數(shù) (FoM) 方面不斷改進(jìn)，加上在拓?fù)浼軜?gòu)和開關(guān)...

2021-09-15

硅片寬帶隙技術(shù)

雙向功率轉(zhuǎn)換器受益于 CoolSiCTM MOSFET

雙向功率轉(zhuǎn)換器是可再生能源和電動汽車充電器中的關(guān)鍵部件。碳化硅開關(guān)能夠?qū)崿F(xiàn)先前技術(shù)無法達(dá)到的效率水平。

2021-09-15

雙向功率轉(zhuǎn)換器 MOSFET

風(fēng)電智慧運維，一切盡在掌控

風(fēng)能的使用古代就出現(xiàn)，比如風(fēng)車抽水，風(fēng)力磨面作坊等，但是，利用風(fēng)力發(fā)電還要追溯至上世紀(jì)的三十年代，隨著兩次工業(yè)革命的完成，能源的大量消耗和環(huán)境的嚴(yán)重污染促使他們尋找一種新型的可再生能源，于是能量巨大的風(fēng)能就被進(jìn)一步開發(fā)轉(zhuǎn)換成動能，動能再轉(zhuǎn)換成電能，風(fēng)力發(fā)電就應(yīng)運而生了。

2021-09-15

風(fēng)電智慧