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RS推出1200種三洋半導(dǎo)體產(chǎn)品
RS Components宣布，通過其在線目錄RS Online渠道推出三洋（SANYO）半導(dǎo)體公司的1200類半導(dǎo)體產(chǎn)品。
2010-03-16
RS 三洋半導(dǎo)體 MOSFET IGBT 晶體管
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恩智浦交付第10億枚ICODE芯片：標(biāo)簽市場(chǎng)的選擇
恩智浦半導(dǎo)體（NXP Semiconductors ）日前宣布交付第 10億枚ICODE 芯片—— ICODE 系列產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)里程碑式突破
2010-03-16
恩智浦 ICODE芯片 標(biāo)簽
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ABB為中國(guó)太陽能發(fā)電提供技術(shù)支持
近日，全球領(lǐng)先的電力和自動(dòng)化技術(shù)集團(tuán)ABB積極參與中國(guó)太陽能開發(fā)利用，為提升國(guó)家可再生能源占電力消費(fèi)比例、改善能源結(jié)構(gòu)做出積極貢獻(xiàn)。
2010-03-15
ABB 太陽能 發(fā)電 新能源 可再生能源
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HAL1821/1822/1823 ：Micronas推出汽車應(yīng)用霍爾效應(yīng)傳感器
Micronas推出汽車應(yīng)用的霍爾效應(yīng)傳感器HAL 1821/1822/1823，HAL 1821/1822/1823通用磁場(chǎng)傳感器提供一個(gè)比例、線性模擬輸出，用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域的磁場(chǎng)測(cè)量、電流測(cè)量和任何機(jī)械運(yùn)動(dòng)的檢測(cè)。
2010-03-15
HAL1821/1822/1823 Micronas 汽車電子 傳感器
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安森美半導(dǎo)體可調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)與彎道輔助照明系統(tǒng)受到關(guān)注
近日，安森美半導(dǎo)體展出了針對(duì)支持TRIAC調(diào)光的LED照明驅(qū)動(dòng)器NCL30000、汽車尾燈控制IC NCV7689以及彎道輔助照明系統(tǒng)。NCL30000是安森美半導(dǎo)體新推出的支持TRIAC調(diào)光的功率因數(shù)校正LED驅(qū)動(dòng)器，適合用于住宅及商業(yè)照明應(yīng)用。
2010-03-15
可調(diào)光LED驅(qū)動(dòng) 彎道輔助照明 汽車后組合燈控制
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更小巧、更輕便、更低溫——IR GaN功率器件帶動(dòng)功率技術(shù)革命
GaN技術(shù)平臺(tái)開創(chuàng)行業(yè)先河，是IR研發(fā)部門基于IR專利的GaN-on-Si硅上氮化鎵異質(zhì)外延技術(shù)，經(jīng)過5年精心研究的成果。高生產(chǎn)量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關(guān)的器件制造工藝，完全符合IR具備成本效益的硅制造設(shè)施，可為客戶提供世界級(jí)的商業(yè)可行的氮化鎵功率器件制造平臺(tái)。
2010-03-15
輕便 低溫 IR GaN 功率器件 革命
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TDK-EPC 開發(fā)并量產(chǎn)SMD型LAN用脈沖變壓器
特別在使用于模塊(module)的情況下，敝社以往的產(chǎn)品在裝載時(shí)，基板與脈沖變壓器是先通過手動(dòng)方式進(jìn)行配線處理。然后，為保持其安定性還需要使用樹脂來固定基板和零件。而該SMD型新產(chǎn)品，可利用回流(reflow)方式一次完成基板裝載,從而可以簡(jiǎn)化生產(chǎn)工序。
2010-03-15
電感器 SMD LAN 脈沖變壓器
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中國(guó)制定太陽能光伏政策要考慮國(guó)情
對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來說，在過去的 5年中出現(xiàn)了新的趨勢(shì)，即半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展主要是由消費(fèi)者來推動(dòng)的,消費(fèi)者是真正的推動(dòng)力。現(xiàn)在半導(dǎo)體市場(chǎng)的發(fā)展很大程度上依賴于手持設(shè)備，比如智能手機(jī)、運(yùn)行Win7的筆記本電腦和其他新潮熱門的產(chǎn)品等。只有消費(fèi)者和企業(yè)喜歡購(gòu)買有吸引力的IT設(shè)備和有特色的產(chǎn)品，才能促...
2010-03-15
應(yīng)用材料 太陽能 光伏 政策
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IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET
這些新的功率MOSFET采用IR最先進(jìn)的硅技術(shù)，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實(shí)現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著降低了手工工具等直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的傳導(dǎo)損耗。
2010-03-15
IR MOSFET HEXFET 硅技術(shù) 導(dǎo)通電阻
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