未來四年全球芯片市場的CAGR可達8%,NAND增速最高
發(fā)布時間:2012-08-17 來源:電子元件技術(shù)網(wǎng) 責任編輯:admin
導言:市場調(diào)研公司ICInsights近日發(fā)布報告稱,2011年至2016年期間全球芯片市場的復合年均增長率(CAGR)可達8%,其中NAND閃存芯片市場增速最高,將達到16.6%。
ICInsights表示,NAND閃存芯片市場2011-2016年的平均年增長率依舊強勢,在所有芯片產(chǎn)品中的增速最快,將達16.6%,稍高于2006-2011年期間的16.0%的增速。
DRAM內(nèi)存芯片市場預計將呈現(xiàn)健康的回升勢頭,到2016年的復合年增長率為9.6%,扭轉(zhuǎn)前一個5年周期平均增速下滑的勢頭。ICInsights稱,NAND閃存芯片和DRAM內(nèi)存芯片銷量的提升將幫助2011-2016年期間的半導體和IC市場增長率相比上一個5年周期增長一倍以上。
ICInsights稱,微處理器和模擬芯片等關(guān)鍵市場未來5年呈現(xiàn)小幅增長。包括光電、傳感器、獨立設備在內(nèi)的市場增長率預計將超越IC市場,前者的年平均增長率將達10.6%,后者為7.4%。
2011-2016年期間,平板電腦、智能機以及其它便攜無線設備將使得半導體市場保持穩(wěn)定增長,但是強化后的平均銷售價格將是改善市場條件的主要驅(qū)動力。
ICInsights認為,由于眾多半導體公司倒閉、兼并或被收購(美光正收購爾必達),很少有廠商能夠擁有資本資源來建造新的300毫米晶圓廠,所以產(chǎn)能過剩的問題將會得以減少。2011-2016年期間,半導體芯片的平均銷售價格將呈現(xiàn)上升趨勢,上一個5年周期(2006-2011)半導體芯片的平均銷售價格則下降3%。
ICInsights表示,NAND閃存芯片市場2011-2016年的平均年增長率依舊強勢,在所有芯片產(chǎn)品中的增速最快,將達16.6%,稍高于2006-2011年期間的16.0%的增速。
DRAM內(nèi)存芯片市場預計將呈現(xiàn)健康的回升勢頭,到2016年的復合年增長率為9.6%,扭轉(zhuǎn)前一個5年周期平均增速下滑的勢頭。ICInsights稱,NAND閃存芯片和DRAM內(nèi)存芯片銷量的提升將幫助2011-2016年期間的半導體和IC市場增長率相比上一個5年周期增長一倍以上。
ICInsights稱,微處理器和模擬芯片等關(guān)鍵市場未來5年呈現(xiàn)小幅增長。包括光電、傳感器、獨立設備在內(nèi)的市場增長率預計將超越IC市場,前者的年平均增長率將達10.6%,后者為7.4%。
2011-2016年期間,平板電腦、智能機以及其它便攜無線設備將使得半導體市場保持穩(wěn)定增長,但是強化后的平均銷售價格將是改善市場條件的主要驅(qū)動力。
ICInsights認為,由于眾多半導體公司倒閉、兼并或被收購(美光正收購爾必達),很少有廠商能夠擁有資本資源來建造新的300毫米晶圓廠,所以產(chǎn)能過剩的問題將會得以減少。2011-2016年期間,半導體芯片的平均銷售價格將呈現(xiàn)上升趨勢,上一個5年周期(2006-2011)半導體芯片的平均銷售價格則下降3%。
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