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【當(dāng)代材料電學(xué)測試】系列之三：凝聚態(tài)物理中物性測試
凝聚態(tài)物理學(xué)是研究由大量微觀粒子(原子、分子、離子、電子)組成的凝聚態(tài)物質(zhì)的微觀結(jié)構(gòu)、粒子間的相互作用、運(yùn)動規(guī)律及其物質(zhì)性質(zhì)與應(yīng)用的科學(xué)，是當(dāng)代材料科學(xué)的物理學(xué)基礎(chǔ)。
2021-03-16
材料電學(xué)測試 凝聚態(tài)物理
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【當(dāng)代材料電學(xué)測試】系列之一： 納米測試（下）
【當(dāng)代材料電學(xué)測試課堂】系列涉及當(dāng)代材料科學(xué)尖端的電運(yùn)輸及量子材料/超導(dǎo)材料測試、一維/碳納米管材料測試、二維材料及石墨烯測試及納米材料的應(yīng)用測試。今天跟您分享第一篇，【當(dāng)代材料電學(xué)測試課堂】系列之一：納米測試（下）。
2021-03-15
材料電學(xué)測試 納米測試
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【當(dāng)代材料電學(xué)測試課堂】系列之一： 納米測試（上）
材料性質(zhì)的研究是當(dāng)代材料科學(xué)的重要一環(huán)，所謂材料的性質(zhì)是指對材料功能特性和效用的定量度量和描述，即材料對電、磁、光、熱、機(jī)械載荷的反應(yīng)。源表SMU 在當(dāng)代材料科學(xué)研究中，起到舉足輕重的作用，選擇適合某類材料電性能測試的SMU，如何降低測試誤差，測試中應(yīng)當(dāng)注意什么，這些問題都需要重點(diǎn)關(guān)...
2021-03-15
材料電學(xué)測試 納米測試
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關(guān)于SiP與先進(jìn)封裝的異同點(diǎn)
SiP系統(tǒng)級封裝（System in Package)，先進(jìn)封裝HDAP（High Density Advanced Package)，兩者都是當(dāng)今芯片封裝技術(shù)的熱點(diǎn)，受到整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的高度關(guān)注。那么，二者有什么異同點(diǎn)呢？
2021-03-15
SiP 先進(jìn)封裝
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詳解PWM驅(qū)動MOS管H橋電路
H橋是一個典型的直流電機(jī)控制電路，因為它的電路形狀酷似字母H，故得名與“H橋”。4個三極管組成H的4條垂直腿，而電機(jī)就是H中的橫杠（注意：圖中只是簡略示意圖，而不是完整的電路圖，其中三極管的驅(qū)動電路沒有畫出來）。
2021-03-15
PWM驅(qū)動 MOS管 H橋電路
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放大器靜態(tài)功耗，輸出級晶體管功耗與熱阻的影響評估
放大器參數(shù)的性能通常會受溫度影響，而溫度的變化來源包括環(huán)境溫度波動，以及芯片自身總功耗和散熱能力限制。其中放大器的總功耗包括靜態(tài)功耗、輸出級晶體管功耗，本篇將討論二者與熱阻參數(shù)對溫度影響的評估方法。
2021-03-14
放大器 輸出級晶體管 熱阻
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H橋電路的有刷直流電機(jī)驅(qū)動：高邊電壓線性控制
從本文開始，我們會介紹幾種使用H橋電路來驅(qū)動有刷直流電機(jī)的方法。在該有刷直流電機(jī)驅(qū)動的驅(qū)動器電路示例中，可以通過線性控制高邊Pch MOSFET來更改OUT引腳的H電壓，從而控制施加到電機(jī)的電壓。OUT引腳的H電壓由施加到Vref引腳的直流電壓控制，理論上的電壓與施加到Vref的電壓相同。這就可以控制電...
2021-03-11
H橋電路 有刷直流電機(jī) 電機(jī)驅(qū)動 高邊電壓
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H橋電路的有刷直流電機(jī)驅(qū)動：輸出狀態(tài)的切換
在上一篇文章中介紹了有刷直流電機(jī)驅(qū)動的H橋電路的原理。本文將介紹有刷直流電機(jī)驅(qū)動的H橋的實際控制（切換）。
2021-03-10
H橋電路 有刷直流電機(jī) 電機(jī)驅(qū)動 輸出狀態(tài)
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利用UHF 局部放電檢測技術(shù)監(jiān)控電網(wǎng)的高速采集方案
整個20世紀(jì)，電能已經(jīng)變得無處不在，成為了日常生活的必需品。不難想象，如今支持我們每天的電能需求的電力網(wǎng)絡(luò)極為復(fù)雜。人們需要處理多種問題，如維護(hù)或替換老舊的系統(tǒng)、連接舊設(shè)施和新的綠色發(fā)電解決方案、支持和應(yīng)對能源需求的波動、長距離傳輸能源、擁擠地區(qū)的輸配電和對應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)以及保證客戶的...
2021-03-10
高速采集 UHF 局部放電檢測技術(shù) 監(jiān)控電網(wǎng)
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